Nano-Tec titannitridbeschichtete Silizium Wafer und Objektträger
Titannitridbeschichtete Silizium Wafer und Objektträger


Einleitung
Nano-Tec titannitridbeschichteten Silizium Wafer, Ø 4 Zoll / 100 mm, 525 µm dick, 100 nm Al
Nano-Tec titannitridbeschichtete Objektträger, 75 x 25 x 1 mm, 100 nm Al

Die mit Titannitrid beschichteten Substrate sind als Ø 4"/100mm Silizium-Wafer und als Mikroskop-Objektträger erhältlich, beschichtet mit 50nm reinem Titannitrid (99,995%). Dünne Schichten aus Titannitrid (TiN) haben eine ausgezeichnete thermische und biologische Stabilität, Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit unter extremen Bedingungen. TiN wird häufig als wirksame Hartbeschichtung auf Stahl-, Karbid- und Aluminiumteilen eingesetzt. Es wird auch zum Schutz von Gleitflächen und als tribologische Schicht für Schneidwerkzeuge verwendet und ist eine hervorragende ungiftige Beschichtung, die in biomedizinischen Geräten eingesetzt wird. Dünnschicht-TiN wird auch in der Mikroelektronik verwendet und dient sowohl als Metall- und Siliziumdiffusionsschicht als auch als hervorragende leitende Verbindung zwischen aktiven Bauteilen und
Für diese Beschichtung wird ein effektives Niedertemperaturverfahren zur Abscheidung ultrareiner, hochdichter und leitfähiger TiN-Dünnschichten (~ 50-70 µΩ-cm) auf Glas- und Siliziumsubstraten eingesetzt. Dies wird durch eine neue reaktive bipolare Hochleistungsimpuls-Magnetronsputtering (Bi-HiPIMS)-Technologie erreicht. HiPIMS verwendet gepulste Energie mit sehr hoher Spitzenleistungsdichte, die eine hohe Ionisierung der gesputterten Spezies bewirkt. Unmittelbar nach dem normalen negativen HiPIMS-Puls wird eine positive Gegenspannung angelegt ("bipolares" HiPIMS), die diese Ionen auf die Substratoberfläche beschleunigt und sie gleichzeitig reaktivem N2-Gas aussetzt. Dieser Ionenbeschuss auf der Oberfläche der wachsenden Schicht ist für die Erzeugung einer hochwertigen und dichten TiN-Beschichtung von wesentlicher Bedeutung, ohne dass extreme Temperaturen erforderlich sind, wie sie bei herkömmlichen Sputterverfahren häufig vorkommen. Die Titannitridschicht ist nicht atomar flach; es gibt Höhenunterschiede im nm-Bereich. Zum Schutz werden die Wafer in Wafer-Transportboxen und die Objektträger in Objektträgerschachtel verpackt


Spezifikationen der Nano-Tec titannitridbeschichteten Silizium Wafer und Objektträger:

Titannitrid-Beschichtung

50 nm TiN (99,995% Reinheit)

Adhäsionsfilm

Keiner

Oberflächerauheit

Einige nm

Substrate

Silizium Wafer

Mikroskop-Objektträger

Substrat- Größe

Ø 4” / 100 mm

75 x 25 mm

Substrat-Dicke

525 µm (+/- 20 µm

1 mm

Substrat-Material

P (Boron) -  <100> - 1-30 Ohm/cm

Borofloat 33 – Borosilikat Glas



Spezifikationen der Nano-Tec titannitridbeschichteten Silizium Wafer und Objektträger

*Preisen ohne Umsatzsteuer, aber innerhalb der EU, müssen wir Ihr Ust.-Nummer überprufen.
Nano-Tec titannitrid-beschichteter Silizium Wafer, Ø 4 Zoll / 100 mm, 525 µm dick, 50 nm TiN Nano-Tec titannitrid-beschichteter Silizium Wafer, Ø 4 Zoll / 100 mm, 525 µm dick, 50 nm TiN
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10-TN8140-3 Pkg/3 €1590,00
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Nano-Tec titannitrid-beschichtete Objektträger, 75 x 25 x 1 mm, 50 nm TiN Nano-Tec titannitrid-beschichtete Objektträger, 75 x 25 x 1 mm, 50 nm TiN
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