Nano-Tec titannitridbeschichtete Silizium Wafer und Objektträger
Titannitridbeschichtete Silizium Wafer und Objektträger

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• Nano-Tec titannitridbeschichtete Silizium Wafer und Objektträger  
  • Nano-Tec titannitrid-beschichteter Silizium Wafer, Ø 4 Zoll / 100 mm, 525 µm dick, 50 nm TiN
  • Nano-Tec titannitrid-beschichtete Objektträger, 75 x 25 x 1 mm, 50 nm TiN

Die mit Titannitrid beschichteten Substrate sind als Ø 4"/100mm Silizium-Wafer und als Mikroskop-Objektträger erhältlich, beschichtet mit 50nm reinem Titannitrid (99,995%). Dünne Schichten aus Titannitrid (TiN) haben eine ausgezeichnete thermische und biologische Stabilität, Festigkeit und Korrosionsbeständigkeit unter extremen Bedingungen. TiN wird häufig als wirksame Hartbeschichtung auf Stahl-, Karbid- und Aluminiumteilen eingesetzt. Es wird auch zum Schutz von Gleitflächen und als tribologische Schicht für Schneidwerkzeuge verwendet und ist eine hervorragende ungiftige Beschichtung, die in biomedizinischen Geräten eingesetzt wird. Dünnschicht-TiN wird auch in der Mikroelektronik verwendet und dient sowohl als Metall- und Siliziumdiffusionsschicht als auch als hervorragende leitende Verbindung zwischen aktiven Bauteilen und
Für diese Beschichtung wird ein effektives Niedertemperaturverfahren zur Abscheidung ultrareiner, hochdichter und leitfähiger TiN-Dünnschichten (~ 50-70 µΩ-cm) auf Glas- und Siliziumsubstraten eingesetzt. Dies wird durch eine neue reaktive bipolare Hochleistungsimpuls-Magnetronsputtering (Bi-HiPIMS)-Technologie erreicht. HiPIMS verwendet gepulste Energie mit sehr hoher Spitzenleistungsdichte, die eine hohe Ionisierung der gesputterten Spezies bewirkt. Unmittelbar nach dem normalen negativen HiPIMS-Puls wird eine positive Gegenspannung angelegt ("bipolares" HiPIMS), die diese Ionen auf die Substratoberfläche beschleunigt und sie gleichzeitig reaktivem N2-Gas aussetzt. Dieser Ionenbeschuss auf der Oberfläche der wachsenden Schicht ist für die Erzeugung einer hochwertigen und dichten TiN-Beschichtung von wesentlicher Bedeutung, ohne dass extreme Temperaturen erforderlich sind, wie sie bei herkömmlichen Sputterverfahren häufig vorkommen. Die Titannitridschicht ist nicht atomar flach; es gibt Höhenunterschiede im nm-Bereich. Zum Schutz werden die Wafer in Wafer-Transportboxen und die Objektträger in Objektträgerschachtel verpackt

Spezifikationen der Nano-Tec titannitridbeschichteten Silizium Wafer und Objektträger:

Nano-Tec titannitrid-beschichteter Silizium Wafer, Ø 4 Zoll / 100 mm, 525 µm dick, 50 nm TiN Artikel # Einheit Preis Bestellung / Anfrage 10-TN8140-3 Pkg/3 €1658,00 Qty:

Nano-Tec titannitrid-beschichtete Objektträger, 75 x 25 x 1 mm, 50 nm TiN Artikel # Einheit Preis Bestellung / Anfrage 10-TN8631-10 Pack/10 €1658,00 Qty: