Nano-Tec silberbeschichtete Silizium Wafer
Nano-Tec silberbeschichtete Silizium Wafer
Einleitung
Die silberbeschichteten Siliziumwafer von Nano-Tec eignen sich für die Dünnschichtforschung, AFM / SPM, Nanotechnologie, Reflektometrie und optische Anwendungen. Die Silizium-Wafer sind mit reinem Silber über einer Haftschicht aus Ti beschichtet. Sowohl Ti als auch Ag werden in einem speziellen Hochvakuum-Beschichtungssystem mit Elektronenstrahl-Verdampfungsquellen abgeschieden. Die Silberbeschichtung ist nicht atomar flach; es gibt Höhenunterschiede im nm-Bereich. Die verfügbaren Silberschichtdicken sind: 10 nm, 50 nm, 100 nm und 500 nm. Erhältlich in drei Silizium-Wafergrößen: Ø2"/51mm, 3"/76mm und Ø4"/100mm). Die silberbeschichteten Nano-Tec-Wafer sind zum Schutz einzeln in Wafer Transportboxen verpackt.
Spezifikationen der silberbeschichtete Silizium Wafer:
Silberbeschichtung |
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Beschichtungsfilm Ag, 99,99% Reinheit |
10 nm |
50 nm |
100nm |
500nm |
Adhäsionsfilm Ti, 99.98% Reinheit |
2 nm |
5 nm |
5 nm |
7.5 nm |
Oberflächerauheit |
Einige nm |
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Si Wafer-Substrat |
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Si Substratorientierung |
<100> |
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Si Wafer Art |
P (Boron), ein primärer Flat (Abflachung) |
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Wiederstand |
1-30 Ohm/cm |
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Si Wafer Größe |
Ø 2”/51 mm |
Ø3”/76mm |
Ø4”/100mm |
Si Wafer Dicke |
275µm (+/- 25µm) |
381µm (+/- 25µm) |
525µm (+/- 20µm) |
TTV |
=< 20µm |
=< 20µm |
=< 20µm |
Abflachung |
15.9 +/- 1.65mm |
22.2 +/- 3.17mm |
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Bestellinformationen zu Nano-Tec s Silizium Wafer und Chips mit 50nm Silberbeschichtung
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