Silizium Wafer, Substrate und Trägermaterialien für Proben
Micro-Tec Wafer Transportboxen
EM-Tec FG1 Silizium REM Gittersubstrat (Finder Grid)
Micro-Tec Haftgelboxen
Silizium Wafer, Substrate und Trägermaterialien für Proben
Si Wafer: Durchmesser 51 mm, 100 mm und 150 mm
Geschnitten Silizium Wafer
Einleitung
Poliertes Silizium ist ein ausgezeichnetes Substrat für die Bildgebung, Experimente, Nanotechnologie und Mikrofabrikationsanwendungen (MEMS). Es steht in Form von Wafern, quadratischen Wafern oder als kleinere Chips (Stücke) zur Verfügung. Die angebotenen Siliziumwafer und Chips haben alle eine <100> Orientierung. Das heißt, die großen Oberflächen sind paralell mit der kristallographischen (100) Ebene des Siliziumeinkristalles des Wafermaterials. Die seitliche Schnittkante liegt paralell mit der (110) Ebene. Ein Abspalten der Wafer auf eine gewünschte Größe mit einer <100> -Orientierung Wafer ist geradlinig und einfach. Die Silizium-Wafer und Chips sind alle mittels Bor positiv dotiert und damit vom P-Typ. Diese Dotierung ermöglicht eine ausgezeichnete Leitfähigkeit für Anwendungen wie REM, FIB und STM.
Für biologische Anwendungen kann Silizium als Glasersatz verwendet werden, da es einen geeigneten Untergrund um Zellen zum Aufbringen und Vervielfältigen darstellt. Für Abbildungsanwendungen eigenet es sich als ein ideales Probensubstrat für kleine Teilchen, aufgrund des geringen topographischen Hintergrundsignals der hochglanzpolierten Oberfläche.
Zwei Sorten der Siliziumsubstrate werden angeboten:
- Micro-Tec Standard-Silizium-Wafer und Silizium-Chips für Standardanwendung mittlerer Auflösung in der Bildgebung.
- Nano-Tec ultraflache Silizium-Wafer und ultraflache Siliziumchips für Anwendungen welche hochauflösende Bildgebung erfordern.
Micro-Tec <P/100> Standard-Silizium-Wafer und quadratische Wafer für REM Substrate
Die Micro-Tec <P/100> Silizium-Wafer-Substrate können als Probensubstrat, für die Mikrofabrikation, als Substrat für die Dünnschicht-Forschung oder als biologisches Substrat verwendet werden. Die flachen Substrate eignen sich hervorragend für REM-Aufnahmen von Partikeln aufgrund des geringen Topograhphiesignals (Bildhintergrund). Für biologische Anwendungen weist Si ähnliche Eigenschaften wie Glas und kann verwendet werden, um Zellen zu aufzubringen oder zu vervielfachen. Das Material kann leicht gespalten oder als ganzer Wafer verwendet werden. Die Micro-Tec Si-Wafer werden in einem Wafer-Trägerfach zum Schutz verpackt versand. Die geschittenen 100 mm Wafer werden auf Wafer-Haftscheiben verpackt und zwischen zwei Kunststofffolien zum Schutz geliefert. Die Siliziumchips können leicht von der Klebefolie abgehoben werden. Die Siliziumchips sind erhältlich in den Gröβen 5 x 5mm, 7,5 x 7,5 mm und 10 x 10 mm. Die S-Chips können einfach auf standard REM-Probenteller befestigd werden.
Die Micro-Tec Standard-Silizium-Wafer-Substrate sind erhältlich als:
- Ø2 "/ 51mm <P/100> Silizium-Wafer
- Ø4”/100mm <P/100> Silizium-Wafer
- Ø6 "/ 150 mm <P/100> Silizium-Wafer
- Geschnitten Ø4”/100 mm <P/100> Silizium-Wafer in Chips 5x5 mm (~ 270 Stück)
- Geschnitten Ø4”/100 mm <P/100> Silizium-Wafer in Chips 7,5x7,5 mm (~ 112 Stück)
- Geschnitten Ø4”/100 mm <P/100> Silizium-Wafer in Chips 10x10 mm (~ 55 Stück)
Parameter |
Ø2”/51mm Wafer |
Ø4”/100mm Wafer |
Ø6”/150mm Wafer |
Geschnitten |
Geschnitten |
Geschnitten |
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Artikelnr. |
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Orientierung |
<100> |
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Art |
P-dotiert (Bor) mit einem Flat |
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elektrischer Widerstand |
1-30 Ohm/cm |
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Beschichtung |
Keine, nur Natürliche Oxide |
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Dicke |
275µm (+/- 20µm) |
525µm (+/- 20µm) |
675µm (+/- 20µm) |
525µm (+/- 20µm) |
525µm (+/- 20µm) |
525µm (+/- 20µm) |
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Durchmesser |
51mm |
100mm |
150mm |
100mm |
100mm |
100mm |
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Chip Große |
n.a. |
n.a. |
n.a. |
5x5mm |
7,5x7,5mm |
10x10mm |
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Chip quantity |
n.a. |
n.a. |
n.a. |
~270 |
~112 |
~55 |
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TTV |
≤ 20µm |
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Primary Fflat |
15.9 +/- 1.65mm |
32.5 +/- 2.5mm |
57.5 +/- 2.5mm |
32.5 +/- 2.5mm |
32.5 +/- 2.5mm |
32.5 +/- 2.5mm |
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Oberflächenrauheit |
<1.5nm, einseitig poliert |
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Nano-Tec ultraflache <P/100> Silizium-Wafern und ultraflache Silizium-Chips
Die ultraflachen Nano-Tec P <100> Silizium-Wafer haben verbesserte Eigenschaften verglichen zu den Micro-Tec Silizium-Wafern. Sie sind für anspruchsvollere Anwendungen in der Mikrofertigung für Dünnschichtforschung oder als biologische Substrate meist bevorzugt. Die ausgezeichneten ultraflachen Oberflächen eignen sich besonders gut für hochauflösende REM-Aufnahmen von Partikeln aufgrund des geringen Hintergrundsignals. Für biologische Anwendungen weist Si ähnliche Eigenschaften wie Glas und kann verwendet werden, um Zellen zu montieren oder aufwachsen zulassen. Die größeren Wafer mit <100> Orientierung können leicht auf die gewünschte Größe geschnitten werden. Die ultraflachen Nano-Tec Si-Wafer wurden zum Schutz in einem Reinraum in Waferträger verpackt. Die geschittenen 100 mm Wafer werden auf Wafer-Haftscheiben verpackt und zwischen zwei Kunststofffolien zum Schutz geliefert. Die Siliziumchips können leicht von der Klebefolie abgehoben werden. Die Siliziumchips sind erhältlich in den Gröβen 5 x 5mm, 7,5 x 7,5 mm und 10 x 10 mm. Die S-Chips können einfach auf standard REM-Probenteller befestigd werden.
Die Nano-Tec ultraflachen Silizium-Wafer sind erhältlich als
:
- Ø4”/100 mm <P/100> ultraflache Siliziumwafer
- Ø6”/150 mm <P/100> ultraflache Siliziumwafer
- Ultraflache 5x5 mm Si-Chips; 25 in einer Gel-Box verpackt
- Ultraflache 5x5 mm Si-Chips mit 200 nm thermisch aufgewachsenem SiO2; 25 in einer Gel-Box verpackt
Parameter |
Ø4”/100 mm Wafer |
Ø6”/15 0mm Wafer |
5x5 mm Chips |
5x5mm Chips mit thermisch gewachsenem SiO2 |
Artikelnr. |
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Ausrichtung |
<100> |
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Art |
P-dotiert (Bor) ) mit einem Flat |
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elektrischer Widerstand |
1-10 Ohm/cm |
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Klasse |
Prime / CZ Virgin |
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Beschichtung |
Keine, nur Natürliche Oxide |
Thermisch gewachsenes SiO2 |
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Dicke |
525µm (+/- 20µm) |
675µm (+/- 20µm) |
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Durchmesser |
100 mm |
150 mm |
150 mm |
150 mm |
Beschichtung |
k.A. |
k.A. |
5x5 mm |
5x5 mm |
Chips Anzahl |
k.A. |
k.A. |
25 |
25 |
TTV |
≤1.5 µm |
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Bow |
≤30 µm |
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Warp |
≤30 µm |
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Primary Flat |
32.5 +/- 2.5 mm |
57.5 +/- 2.5 mm |
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Oberflächenrauheit |
üblicherweise 0.2 - 0.3 nm, einseitig poliert |
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Bestellinformationen zu Silizium Wafer & Chips
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